[发明专利]光电子器件

摘要

本发明提出一种光电子器件，所述光电子器件具有：半导体本体（1），所述半导体本体具有外延层序列（2）；由半导体材料制成的载体衬底（6），所述载体衬底借助于焊层（7）与半导体本体（1）连接并且具有贯通接触部（9a、9b）。载体衬底（6）具有表面掺杂区（14），所述表面掺杂区沿着朝向半导体本体（1）的第一主面（11）延伸。表面掺杂区（14）具有p型区域（14a）和邻接于其的n型区域（14b），在所述p型区域和所述n型区域之间构造有pn结（16）。n型区域（14b）经由焊层（7）的第一部分区域（7a）电连接到外延层序列（2）的p掺杂的区域（3）上，并且p型区域（14a）经由焊层（7）的第二部分区域（7b）电连接到外延层序列（2）的n型区域（5）上，以至于在表面掺杂区（14）中的pn结（16）构成用于半导体本体（1）的保护二极管。

主权项

光电子器件，具有：半导体本体（1），所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层（4）的外延层序列（2）；以及由半导体材料制成的载体衬底（6），所述载体衬底借助于焊层（7）与所述半导体本体（1）连接，其中，‑所述载体衬底（6）具有第一贯通接触部（9a）和第二贯通接触部（9b），所述第一贯通接触部和所述第二贯通接触部分别从所述载体衬底（6）的朝向所述半导体本体（1）的第一主面（11）被引导到所述载体衬底（6）的背离所述半导体本体（1）的第二主面（12），‑所述外延层序列（2）具有p掺杂的半导体区域（3）和n掺杂的半导体区域（5），其中，所述第一贯通接触部（9a）经由所述焊层（7）的第一部分区域（7a）与所述p掺杂的半导体区域（3）导电地连接，并且所述第二贯通接触部（9b）经由所述焊层的第二部分区域（7b）与所述n掺杂的半导体区域（5）导电地连接，‑所述载体衬底（6）具有表面掺杂区（14），所述表面掺杂区沿着所述第一主面（11）延伸，‑所述表面掺杂区（14）具有p型区域（14a），所述p型区域包含p掺杂材料，‑所述表面掺杂区（14）具有邻接于所述p型区域（14a）的n型区域（14b），所述n型区域既包含n掺杂材料也包含p掺杂材料，以至于在所述p型区域（14a）和所述n型区域（14b）之间构造有pn结（16），‑所述n型区域（14b）电连接到所述焊层（7）的所述第一部分区域（7a）上，并且所述p型区域（14a）电连接到所述焊层（7）的所述第二部分区域（7b）上，以至于在所述表面掺杂区（14）中的所述pn结（16）构成用于所述半导体本体（1）的保护二极管。