[发明专利]半导体装置及数据处理系统有效
| 申请号： | 201180037119.0 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103038754A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 佐藤纯桂;本田信彦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G11C11/401;G11C11/407 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供使刷新命令的发出和校准命令的发出不连续的存储器控制技术。存储器控制电路(30)发出用于以设定的刷新周期为基准而请求刷新工作的刷新命令和用于以设定的校准周期为基准而请求校准工作的校准命令，存储器控制电路(30)抑制在刷新命令发出后规定时间内发出校准命令，抑制在校准命令发出后规定时间内发出刷新命令。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 数据处理系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：存储器控制电路，其控制DDR型的SDRAM；访问请求电路，其向上述存储器控制电路请求上述SDRAM的访问，上述存储器控制电路发出如下命令：访问命令，其用于响应来自上述访问请求电路的访问请求；刷新命令，其用于以设定的刷新周期为基准而请求使上述SDRAM的存储信息再现的刷新工作；校准命令，其用于以设定的校准周期为基准而请求校正上述SDRAM的内部状态的校准工作，并且上述存储器控制电路抑制在上述刷新命令发出后规定时间内发出上述校准命令，抑制在上述校准命令发出后规定时间内发出上述刷新命令。
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