[发明专利]存储器件的柱结构以及方法

摘要

一种形成存储器件的方法。所述方法提供具有表面区域的半导体基板。形成第一介电层覆盖所述半导体基板的表面区域。形成底层布线结构覆盖所述第一介电层，并且形成第二介电材料覆盖所述顶层布线结构。形成底层金属阻挡材料，以提供与所述底层布线结构的金属与金属接触。所述方法通过图案化并蚀刻包括所述底层金属阻挡材料、接触材料、开关材料、导电材料以及顶层阻挡材料的材料堆叠物形成柱结构。在蚀刻期间，无论是否将所述柱结构与所述底层布线结构对齐，所述柱结构均保持与所述底层布线结构的金属与金属接触。与所述底层布线结构成一个角度地形成顶层布线结构覆盖所述柱结构。

主权项

一种形成存储器件的柱结构的方法，包括：提供具有表面区域的半导体基板；形成第一介电层覆盖所述半导体基板的表面区域；形成第一布线结构覆盖所述第一介电层，所述第一布线结构至少包括第一导电材料；形成第二介电材料覆盖所述第一布线结构；形成平坦化的第二介电层表面，暴露第一布线结构表面；形成底层金属阻挡材料覆盖包括所述第一布线结构表面的所述第二介电层表面，所述底层金属阻挡形成与所述第一布线结构的金属与金属接触；沉积接触材料覆盖所述底层金属阻挡材料；沉积开关材料覆盖所述接触材料；沉积导电材料覆盖所述开关材料；沉积顶层阻挡材料覆盖所述导电材料；执行图案化和蚀刻工艺，以至少由所述底层金属阻挡材料、所述接触材料、所述开关材料、所述导电材料以及所述顶层阻挡材料形成多个柱结构；沉积第三介电材料至少覆盖所述多个柱结构，所述第三介电材料具有非平坦表面区域；平坦化所述第三介电材料，暴露所述柱结构的表面区域，所述柱结构的表面区域包括所述顶层阻挡材料的表面区域；以及形成顶层布线结构至少覆盖所述柱结构的暴露的表面区域，所述顶层布线结构至少包括第二导电材料。