[发明专利]光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物无效
| 申请号： | 201180042398.X | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103080845A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;C11D7/26;C11D7/50;H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种除去在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光致抗蚀剂残渣以及聚合物残渣的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法，特别提供不含有含氮有机羟基化合物、氨、氟化合物，含有作为残渣除去成分以金属氧化物为主要成分的残渣除去性优异的熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸，能够抑制在清洗装置喷出液体的喷嘴或清洗槽以及腔室的周边附着溶液后，脂肪族多元羧酸通过水的蒸发而再结晶的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物，以及该组合物的残渣除去方法。在含有熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物中，含有20℃下的蒸汽压为17mmHg、在结构内具有羟基的可与水混溶的有机溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 残渣 聚合物 除去 组合 | ||
【主权项】：
一种组合物，用于通过单片式清洗除去光致抗蚀剂和/或聚合物残渣，含有熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸，以及20℃下的蒸汽压为17mmHg以下的具有羟基的有机溶剂。
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