[发明专利]制造半导体装置和电子设备的方法

摘要

本发明提供了用于制造半导体装置的方法，其中，在形成其厚度可达确保高压晶体管的栅击穿电压的程度的栅氧化膜时，可抑制厚栅氧化膜在元件区与槽隔离区之间的边界处变薄，此外，还能防止在小尺寸低压晶体管的有源区中的槽隔离沟的侧壁部发生由衬底材料的氧化引起的晶体缺陷。在半导体衬底（101）的表面上，形成槽隔离区（100c、100f、和100g）来所述表面分为将形成半导体元件的元件区。然后形成氮化硅膜（抗氧化膜）（109）来覆盖该槽隔离区并且从该槽隔离区伸出，且藉此与该槽隔离区相邻的元件区部分地交迭。该抗氧化膜作为掩模，在元件区上，形成比多个半导体元件中具有预定尺寸的半导体元件中所要求的热氧化膜更厚的热氧化膜（110）。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其中形成在半导体衬底上的多个半导体元件由槽隔离区所隔离，所述方法包括：在所述半导体衬底的表面上形成槽隔离沟，从而隔离在其上将形成所述半导体元件的元件区；在所述槽隔离沟中嵌入电介质材料从而形成所述槽隔离区；在所述半导体衬底的所述表面上选择性地形成抗氧化膜来覆盖所述槽隔离区；和在多个半导体元件中非最大尺寸的预定尺寸半导体元件的元件区内、使用所述抗氧化膜作为掩模，形成比所述预定尺寸的半导体元件所要求的热氧化膜的厚度更厚的厚热氧化膜。