[发明专利]集成的无源器件和功率放大器有效
申请号: | 201180045796.7 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN103119703A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | J·P·布莱克;R·V·夏诺伊;E·P·格瑟夫;A·哈德吉克里斯托;T·A·迈尔斯;J·金;M·F·维伦茨;J-H·J·兰;C·S·罗 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;G02B26/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开提供用于将沉积在第一基板上的器件与形成在诸如半导体基板或玻璃基板的第二基板上的集成电路相组合的系统、方法和装置。该第一基板可以是玻璃基板。第一基板可包括传导通孔。功率组合器电路可被沉积在该第一基板的第一侧上。该功率组合器电路可包括沉积在该第一基板的至少该第一侧上的无源器件。该集成电路可包括布置在该功率组合器电路上并且被配置成与该功率组合器电路电连接以形成功率放大系统的功率放大器电路。传导通孔可包括被配置用于传导来自该功率放大系统的热量的热通孔和/或被配置用于该功率放大系统与该第一基板的第二侧上的导体之间的电连接的互连通孔。 | ||
搜索关键词: | 集成 无源 器件 功率放大器 | ||
【主权项】:
一种集成器件,包括:玻璃基板,其具有第一表面和与所述第一表面基本平行的第二表面;至少一个无源组件,其由布置在所述第一表面上的至少一个图案化层形成;集成电路管芯,其附连至所述玻璃基板的所述第一表面;以及多个透玻通孔,其延伸于所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面之间,其中所述集成电路管芯电连接至所述至少一个无源组件和至少一个透玻通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造