[发明专利]发光元件搭载用陶瓷基体以及发光装置有效
申请号: | 201180046312.0 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103124705A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 四方邦英;草野一英 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | C04B35/111 | 分类号: | C04B35/111;G02B5/08;H01L33/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光元件搭载用陶瓷基体以及发光装置,可获得高反射率,并且为了使散热性良好、延长发光元件的寿命而导热系数高。由于是由陶瓷烧结体构成且具有搭载发光元件的搭载部的发光元件搭载用陶瓷烧结体,该搭载部侧的表层部中的结晶粒径的当量圆直径为0.2μm以上且1.0μm以下的结晶的比例在45%以上且80%以下,当量圆直径为2.0μm以上且6.0μm以下的结晶的比例在5%以上且15%以下,并且当量圆直径超过6.0μm的结晶的比例在2.7%以下,因此能够提高发光元件搭载用陶瓷基体(1)的反射率,并且能够作为导热系数高的发光元件搭载用陶瓷基体。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 搭载 陶瓷 基体 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种发光元件搭载用陶瓷基体,是由陶瓷烧结体构成且具有搭载发光元件的搭载部的发光元件搭载用陶瓷烧结体,其特征在于,所述搭载部侧的表层部中的结晶粒径的当量圆直径为0.2μm以上且1.0μm以下的结晶的比例在45%以上且80%以下,当量圆直径为2.0μm以上且6.0μm以下的结晶的比例在5%以上且15%以下,并且当量圆直径超过6.0μm的结晶的比例在2.7%以下。
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