[发明专利]半导体衬底用碱性处理液的精制方法及精制装置无效
| 申请号： | 201180046403.4 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103189965A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 村冈久志;长俊连 | 申请（专利权）人： | 多摩化学工业株式会社;UMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B01J20/10;C02F1/28;C02F1/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底用碱性处理液的精制方法及精制装置，其可以将为了以各种目的处理半导体衬底而使用的各种碱性处理液精制到超高纯度，特别是将Fe浓度精制到ppq水平，进而使用化学耐性及机械强度也优异的吸附精制装置。本发明提供一种碱性处理液的精制装置，用于在制造半导体衬底或半导体器件等时以各种目的处理半导体衬底，其中，使碱性处理液与吸附精制装置的碳化硅晶体表面相接触，并流过例如两面为CVD碳化硅面的吸附板层叠体（2）的间隙，使该碱性处理液中所含的金属杂质吸附于碳化硅晶体表面而被除去。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 碱性 处理 精制 方法 装置 | ||
【主权项】：
半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其是为了处理半导体衬底而使用的碱性处理液的精制方法，其特征在于，使所述碱性处理液与吸附精制装置的碳化硅晶体表面相接触，使该碱性处理液中所含的金属杂质吸附于所述碳化硅晶体表面而被除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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