[发明专利]具有改进击穿电压的场效应晶体管和形成这种场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201180047236.5 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103140928A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | E·J·考尼;P·M·达利;J·辛赫;S·惠斯顿;P·M·迈克古尼斯;W·A·拉尼 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了具有改进击穿电压的晶体管和形成所述晶体管的方法。在一个实施方案中，形成晶体管的方法包括以下步骤：通过用第一掺杂物类型掺杂半导体形成第一类型半导体来形成漏极（10）和源极（8），所述漏极和所述源极彼此隔开，其中，所述漏极包括具有第一掺杂物浓度且与第二漏极区（204）相邻的第一漏极区（202），使得所述第二漏极区的至少一部分位于所述第一漏极区和所述源极之间，以及还包括通过掺杂所述半导体形成位于所述漏极和所述源极中间的第二类型半导体来形成中间区（200），所述中间区与所述第二漏极区隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 击穿 电压 场效应 晶体管 形成 这种 方法 | ||
【主权项】：
一种形成晶体管的方法，所述方法包括：通过用第一掺杂物类型掺杂半导体形成第一类型半导体来形成漏极和源极，所述漏极和所述源极彼此隔开，其中，所述漏极包括具有第一掺杂物浓度且与第二漏极区相邻的第一漏极区，使得所述第二漏极区的至少一部分位于所述第一漏极区和所述源极之间；以及通过掺杂半导体形成位于所述漏极和所述源极中间的第二类型半导体来形成中间区，所述中间区与所述第二漏极区隔开。
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