[发明专利]具有多个彼此间有间隔的发射区域的发光设备有效
申请号: | 201180048215.5 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN103155151B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | N.赫夫纳;M.布兰德尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H05B33/08;B60Q1/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;卢江 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 说明了一种发光设备(100),包括‑至少一个发射辐射的半导体芯片(10),该半导体芯片具有至少两个在横向方向(101)上彼此间有间隔地布置的发射区域(11),其中每个发射区域(11)都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区(2);‑用于运行发射区域(11)的操控设备(12),其中‑发射区域(11)能够彼此分开地电运行,以及‑所述操控设备(12)被设立为依据以下条件中的至少一个与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域(11):发射区域(11)的运行持续时间、由发射区域(11)发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片(10)的最大工作温度的达到、由半导体芯片(10)要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备(100)要照明的对象的光强分布。 | ||
搜索关键词: | 具有 彼此 间隔 发射 区域 发光 设备 | ||
【主权项】:
1.发光设备(100),包括‑至少一个发射辐射的半导体芯片(10),该半导体芯片具有至少两个在横向方向(101)上彼此间有间隔地布置的发射区域(11),其中所述发射区域用外延生长的半导体层序列来形成且每个发射区域(11)都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区(2),其中发射辐射的半导体芯片(10)包括至少一个载体(3),其中至少两个所述发射区域(11)共同地外延生长并且在横向方向上彼此有间隔地固定在所述至少一个载体(3)上,而且所述发射区域(11)的有源区被相互分开,其中所述发射区域(11)具有竖直方向上的相同扩展、相同的半导体层序列、各个半导体层的竖直方向上的相同扩展及相同的材料组成;其中设有用于运行发射区域(11)的操控设备(12),其中‑发射区域(11)能够彼此分开地电运行,‑所述操控设备(12)被设立为依据以下条件中的至少一个与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域(11):发射区域(11)的运行持续时间、由发射区域(11)发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片(10)的最大工作温度的达到、由半导体芯片(10)要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备(100)要照明的对象的光强分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的