[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180048386.8 | 申请日： | 2011-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN103155159A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 中村正美;新藤直人;金作整;迹部淳一 | 申请（专利权）人： | 昭荣化学工业株式会社;京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01B1/22;H01L21/28;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个方式涉及的太阳能电池元件具备：半导体基板；反射防止膜，配置于该半导体基板的一主面上的第1区域；表面电极，配置于上述半导体基板的一主面上的第2区域，以银作为主要成分，并包含以碲、钨以及铋为必需成分的碲系玻璃。另外，上述太阳能电池元件的制造方法具有：第1步骤，在上述半导体基板的一主面上形成上述反射防止膜；第2步骤，将包含以银为主要成分的导电性粉末、以碲、钨以及铋为必需成分的碲系玻璃粉、和有机展色剂的导电膏印刷在上述反射防止膜上；第3步骤，通过烧制上述导电膏除去位于上述导电膏之下的上述反射防止膜，将上述反射防止膜配置于上述半导体基板的上述第1区域，在上述半导体基板的上述第2区域形成上述表面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池元件，具备：半导体基板；反射防止膜，配置于该半导体基板的一主面上的第1区域；以及表面电极，配置于上述半导体基板的一主面上的第2区域，以银作为主要成分，并包含以碲、钨以及铋为必需成分的碲系玻璃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭荣化学工业株式会社;京瓷株式会社，未经昭荣化学工业株式会社;京瓷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180048386.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
