[发明专利]透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置

摘要

本发明是透明导电性膜等，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，阻气层由包含硅Si原子、氧O原子和碳C原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅Si原子、氧O原子和碳C原子的含量是，相对于硅Si原子、氧O原子和碳C原子的合计100原子%，硅Si原子18.0～28.0%，氧O原子48.0～66.0%，碳C原子10.0～28.0%，并且，透明导电性膜在40℃90%RH气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm时的可见光透过率为90%以上。根据本发明，可提供具有优异的阻气性和透明性，即使在高温高湿度环境下，薄层电阻值的变化也少，保持低值，导电性优异的透明导电性膜等。

主权项

透明导电性膜，其特征在于，其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，所述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是，在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%，硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下，氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下，碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下，构成上述透明导电体层的材料是含有氧化锌90质量%以上、进而含有镓的氧化物0.05～10质量%的锌系氧化物，并且，透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm下的可见光总光线透过率为90%以上，下式所示的薄层电阻值的变化率T1、T2分别为小于1.0、1.0以下，上述式中，R0表示透明导电性膜的初始薄层电阻值，R1表示在60℃的环境下放置3天后的薄层电阻值，R2表示在60℃90%RH环境下放置3天后的薄层电阻值。