[发明专利]混合型有源-场间隙延伸漏极MOS晶体管有效
| 申请号： | 201180051651.8 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103189987A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | S·P·彭哈卡;J·林 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路（100）包括具有并行交替的有源间隙漂移区和场间隙漂移区的延伸漏极MOS晶体管（102）。延伸漏极MOS晶体管包括在场间隙漂移区上具有场板的栅极。延伸漏极MOS晶体管可以以对称嵌套配置形成。用于形成包含延伸漏极MOS晶体管的集成电路的工艺提供并行交替的有源间隙漂移区和场间隙漂移区，其中栅极在场间隙漂移区上具有场板。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 有源 间隙 延伸 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：衬底；延伸漏极金属氧化物半导体（MOS）晶体管，所述延伸漏极MOS晶体管包括：延伸漏极，其在所述衬底中，所述延伸漏极包括漂移区，所述漂移区包括交替的场间隙漂移区和有源间隙区；沟道区域，其在所述衬底中，所述沟道区紧靠所述漂移区；场氧化物元件，其在所述延伸漏极中，邻近所述场间隙漂移区且与所述沟道区相对，使得所述延伸漏极在所述场氧化物元件下面延伸；栅极介电层，其在所述衬底上，在所述沟道区和所述漂移区上方；栅极，其在所述栅极介电层上，在所述沟道区上方，所述栅极包括在所述场间隙漂移区上方的场板，所述场板延伸到所述场氧化物元件上；以及源极，其在所述衬底中，紧靠所述沟道区且邻近所述栅极。
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