[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的是提高具有开口并且在开口中设置有由二维电子气形成的沟道的垂直型半导体器件的耐压特性。该垂直型半导体器件设置有具有开口（28）的GaN基堆叠层（15），并且GaN基堆叠层（15）设置有n型GaN基漂移层（4）/p型GaN基势垒层（6）/n型GaN基接触层（7），并且该垂直型半导体器件设置有：以覆盖开口方式的再生长层（27），其包含电子漂移层（22）和电子供应层（26）；源电极（S）；和位于再生长层上的栅电极（G）。栅电极（G）覆盖具有与p型GaN基势垒层的厚度范围对应的长度的部分，并且终止在壁表面上离开再生长层的底部的位置处。

主权项

一种垂直型半导体器件，包括具有开口的GaN基堆叠层，所述GaN基堆叠层向顶层侧依次包括n型GaN基漂移层/p型GaN基势垒层/n型GaN基接触层，所述开口从顶层延伸并到达所述n型GaN基漂移层，所述半导体器件包括：再生长层，所述再生长层被定位为覆盖所述开口的壁表面和底部，所述再生长层包括电子漂移层和电子供应层；源电极，所述源电极与所述开口周围的所述n型GaN基接触层和所述再生长层接触；以及栅电极，所述栅电极被定位在所述再生长层上，其中所述栅电极覆盖所述再生长层的壁表面的一部分，所述部分具有与所述p型势垒层的厚度对应的长度，并且所述栅电极终止在壁表面上的下述位置处，所述位置离开覆盖所述开口的底部的所述再生长层的底部。