[发明专利]使用独立栅极鳍式场效应晶体管的稳定静态随机存取存储器位单元设计

摘要

使用独立栅极鳍式场效应晶体管FinFET架构的稳定SRAM单元在例如读取静态噪声容限RSNM和写入噪声容限WNM等装置参数方面提供优于常规SRAM单元的改进。示范性SRAM单元包括一对存储节点、一对位线、一对上拉装置、一对下拉装置和一对通过门装置。第一控制信号和第二控制信号经配置以调整所述通过门装置的驱动强度，且第三控制信号经配置以调整所述上拉装置的驱动强度，其中所述第一控制信号是以与位线方向正交的方式投送，且所述第二和第三控制信号是在与所述位线方向相同的方向上投送。通过在读取和写入操作期间调整所述上拉装置和通过门装置的驱动强度来改进RSNM和WNM。

主权项

一种静态随机存取存储器SRAM单元，其包括：一对存储节点，其经配置以存储互补二进制值；一对位线，其经配置以将所述互补二进制值发射到所述存储节点/从所述存储节点发射所述互补二进制值；一对上拉装置，其经配置以将所述存储节点耦合到正电源供应电压；一对下拉装置，其经配置以将所述存储节点耦合到负电源供应电压；一对通过门装置，其经配置以将所述存储节点耦合到所述位线；第一控制信号和第二控制信号，其经配置以调整所述通过门装置的驱动强度；以及第三控制信号，其用以调整所述上拉装置的驱动强度。