[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201180053705.4 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103201844A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 八重樫诚司;木山诚;横山满德;井上和孝;冈田政也;齐藤雄 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/336;H01L21/338;H01L27/095;H01L29/12;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 | 代理人： | 刘昕 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其在开口部具有通道的纵向半导体装置中，可提高高频特性。其特征在于，具有n型GaN类漂移层（4）、p型GaN类势垒层（6）、n型GaN类接触层（7），开口部（28）从表层到n型GaN类漂移层内，其结构具有包含覆盖该开口部配置的电子移动层（22）和电子供给层（26）的再生长层（27）、源极（S）、漏极（D）和位于在生长成上栅极（G），可视为以源极为一方电极，以漏极为另一方的电极而构成电容，具有降低该电容的容量的容量降低结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包含设有开口部的GaN类层叠体的纵向半导体装置，其特征在于，所述GaN类层叠体，朝向表层侧依次具有n型GaN类漂移层、p型GaN类势垒层、n型GaN类接触层，所述开口部从表层开始达到所述n型GaN类漂移层内，具有：再生长层，其位于覆盖该开口部的位置，包含电子移动层和电子供给层；源极，其位于所述开口部周围，以与所述n型GaN类接触层、所述再生长层和所述p型GaN类势垒层相接；漏极，其与所述源极夹持所述GaN类层叠体，位于与所述开口部中心重合的位置；和栅极，其位于所述再生长层上，对于以所述源极为一个电极，以所述漏极为另一个电极，且之间配置有电介质材料的电容，具有容量降低结构，作为使该电容的容量降低的结构。
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