[发明专利]形成电组件和存储器胞元的方法有效
申请号: | 201180055984.8 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN103222044A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 斯科特·E·西里斯;罗伊·E·米迪 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一些实施例包含形成电组件的方法。在第一结构之上形成第一和第二暴露的表面配置,且接着跨越所述表面配置形成材料。在两个或两个以上域当中再分所述材料,其中所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发,且其中所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发。接着在所述材料之上形成第二结构。所述材料的所述第一域并入到电组件中。所述第二域可由介电材料替换以在邻近电组件之间提供隔离,或可用作邻近电组件之间的介入区。 | ||
搜索关键词: | 形成 组件 存储器 方法 | ||
【主权项】:
一种形成电组件和所述电组件之间的介入区的方法,其包括:在第一结构之上形成两个或两个以上暴露的表面配置;所述表面配置中的一者为第一配置且所述表面配置中的另一者为第二配置;跨越所述表面配置形成材料;所述材料包括两个或两个以上域;所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发,且所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发;在所述材料之上形成第二结构;所述第一域并入到在所述第一与第二结构之间的重叠区处的电组件中;以及移除所述第二域并用介电材料替换所述第二域以提供所述介电材料作为邻近电组件之间的介入区,或直接利用所述第二域作为邻近电组件之间的介入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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