[发明专利]形成电组件和存储器胞元的方法有效

专利信息
申请号: 201180055984.8 申请日: 2011-10-14
公开(公告)号: CN103222044A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 斯科特·E·西里斯;罗伊·E·米迪 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/8247 分类号: H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/8242;H01L27/108
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一些实施例包含形成电组件的方法。在第一结构之上形成第一和第二暴露的表面配置,且接着跨越所述表面配置形成材料。在两个或两个以上域当中再分所述材料,其中所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发,且其中所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发。接着在所述材料之上形成第二结构。所述材料的所述第一域并入到电组件中。所述第二域可由介电材料替换以在邻近电组件之间提供隔离,或可用作邻近电组件之间的介入区。
搜索关键词: 形成 组件 存储器 方法
【主权项】:
一种形成电组件和所述电组件之间的介入区的方法,其包括:在第一结构之上形成两个或两个以上暴露的表面配置;所述表面配置中的一者为第一配置且所述表面配置中的另一者为第二配置;跨越所述表面配置形成材料;所述材料包括两个或两个以上域;所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发,且所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发;在所述材料之上形成第二结构;所述第一域并入到在所述第一与第二结构之间的重叠区处的电组件中;以及移除所述第二域并用介电材料替换所述第二域以提供所述介电材料作为邻近电组件之间的介入区,或直接利用所述第二域作为邻近电组件之间的介入区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180055984.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top