[发明专利]低轮廓微电子封装及其制造方法以及包含该低轮廓微电子封装的电子组件无效

专利信息
申请号: 201180058267.0 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN103250244A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: M·J·马努沙罗;R·纳拉 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/28
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种低轮廓微电子封装包括管芯(110)(具有第一表面(111)和第二表面(112))及封装衬底(120)。衬底包括电绝缘层(121),其形成所述衬底的第一侧面(126);导电层(122),连接到管芯;以及导电层上的保护层(123),其形成衬底的第二侧面(127)。管芯的第一表面位于衬底的第一侧面。绝缘层具有形成于其中的多个焊盘。封装部件进一步包括互连结构(140)的阵列,位于衬底的第一侧面。所述互连结构的阵列中的每一互连结构都具有第一端部(141)和第二端部(142),第一端部连接到一个焊盘。
搜索关键词: 轮廓 微电子 封装 及其 制造 方法 以及 包含 电子 组件
【主权项】:
一种低轮廓微电子封装,包括:微电子管芯,其具有第一表面和相对的第二表面;封装衬底,围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底,所述封装衬底包括:电绝缘层,其形成所述封装衬底的第一侧面,所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘,其中,所述微电子管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面;导电层,其电连接到所述微电子管芯;以及所述导电层上方的保护层,所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面;以及导电互连结构的阵列,其位于所述封装衬底的所述第一侧面,其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部,并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘。
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