[发明专利]在自旋转移力矩存储器设备中的写电流的降低

摘要

本公开内容涉及用于非易失性微电子存储器设备的自旋转移力矩存储器元件的制造。所述自旋转移力矩存储器元件可以包括与具体限定了大小和/或形状的固定磁层连接的磁性隧道结，所述固定磁层可以安置在邻接自由磁层的具体的位置处，所述限定了形状的固定磁层可以使自由磁层中的电流集中，这可以带来在自旋转移力矩存储器元件中切换位单元所需的临界电流的降低。

主权项

一种磁性隧道结，包括：自由磁层；固定磁层；以及隧道势垒层，设置在所述自由磁层与所述固定磁层之间；其中，所述固定磁层具有比所述自由磁层的表面面积小的表面面积。