[发明专利]具有含多个垂直嵌入管芯的衬底的多芯片封装以及形成所述封装的工艺有效
申请号: | 201180062444.2 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103270586B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | J·S·冈萨雷斯;H·朱马 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,夏青 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种包括衬底的装置,所述衬底具有含多个触点焊盘的焊接区侧以及与焊接区层相对的管芯侧。所述装置包括第一管芯和第二管芯,其中第一管芯和第二管芯嵌入衬底内,使得第二管芯位于第一管芯与衬底的焊接区侧之间。 | ||
搜索关键词: | 具有 含多个 垂直 嵌入 管芯 衬底 芯片 封装 以及 形成 工艺 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:衬底,具有管芯侧和与所述管芯侧相对的焊接区侧,所述焊接区侧具有多个触点焊盘;第一管芯,具有第一有源面和与所述有源面相对的背面;第一绝缘层,其中所述第一管芯嵌入所述第一绝缘层内;第一过孔,位于所述第一绝缘层中并且与所述第一管芯的所述有源面电接触;第一布线层,具有第一导电迹线并且位于所述第一绝缘层上,其中所述第一导电迹线与所述第一过孔接触;第二管芯,具有有源面和与所述有源面相对的背面;并且其中,所述第一管芯和所述第二管芯嵌入到所述衬底中,使得所述第二管芯位于所述第一管芯和所述衬底的所述焊接区侧之间,并且其中所述第一管芯的所述有源面和所述第二管芯的所述有源面朝向所述衬底的所述焊接区侧,其中所述衬底包括至少一个电连接,其提供所述第一管芯与所述第二管芯之间的直接电连接,其中所述电连接没有电连接至外部触点,并且其中在所述第一管芯与所述第二管芯之间的所述电连接不包括直径大于150微米的垂直连接。
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