[发明专利]不流动底充胶有效
申请号: | 201180063433.6 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN103283007A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;埃利斯·周;李相一;基肖尔·德赛 | 申请(专利权)人: | 德塞拉股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 制造微电子组件的方法包括,提供具有第一导电元件的微电子元件(30)和具有第二导电元件的介电元件(50)。第一导电元件或第二导电元件中至少一些可为导电柱(40),而其他的第一导电元件或第二导电元件可包括位于一些导电柱(40)之间的结合金属(10)。底充胶层(60)可覆盖一些第一导电元件或第二导电元件。至少一个第一导电元件可朝另一第二导电元件移动,使得柱刺穿底充胶层(60)并至少使结合金属(10)变形。可加热微电子元件(30)和介电元件(50),以使其接合在一起。柱(40)在表面上方的高度可为微电子元件(30)与介电元件(50)的表面之间距离的至少百分至四十。 | ||
搜索关键词: | 流动 底充胶 | ||
【主权项】:
用于制造微电子组件的方法,包括:提供第一元器件和第二元器件,所述第一元器件具有第一表面和在所述第一表面上突出的第一导电元件,所述第二元器件具有第二表面和在所述第二表面上突出的第二导电元件,所述第一元器件或所述第二元器件中至少一个为微电子元件,至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件为基本刚性的导电柱,这些柱具有在其突出的相应表面上方的高度,所述高度为所述第一表面与所述第二表面之间距离的至少百分之四十,结合金属至少设置在所述至少一些第一导电元件上、或者设置在所述至少一些第二导电元件上,底充胶层至少覆盖至少一些的所述第一导电元件或至少一些的所述第二导电元件;使所述第一导电元件中至少一个朝所述第二导电元件中的另一个移动,使得基本为刚性的柱剌穿所述底充胶层,并至少使所述结合金属变形;及加热所述第一元器件及所述第二元器件至接合温度,直至所述结合金属沿所述柱的边缘流动,所述结合金属沿所述柱的高度的至少一半与所述边缘接触,并使所述第一元器件与所述第二元器件电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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