[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180065194.8 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103329275A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林宏;川岛孝启;河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成在栅极绝缘膜（3）上的半导体层（4）的带隙能量为1.6eV以下。形成在半导体层（4）上的绝缘层（5）具有：配置在比第1接触开口部（8）更靠外侧的位置的第1绝缘层区域（5a）、和配置在比第2接触开口部（9）更靠外侧的位置的第2绝缘层区域（5b）。第1绝缘层区域（5a）配置在栅电极（2）的一端部的上方，第2绝缘层区域（5b）配置在栅电极（2）的另一端部的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜半导体器件，具备：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅极绝缘膜，其形成于所述栅电极上以及遍及比其两端部更靠外侧的所述基板上，半导体层，其形成于所述栅极绝缘膜上，具有沟道区域；绝缘层，其形成于所述半导体层上，具有隔开间隔配置的第1接触开口部以及第2接触开口部；源电极，其形成于所述绝缘层的上方；以及漏电极，其形成于所述绝缘层的上方，与所述源电极对向地形成，所述半导体层的带隙能量为1.6eV以下，所述绝缘层具有配置在比所述第1接触开口部更靠外侧的位置的第1绝缘层区域、和配置在比所述第2接触开口部更靠外侧的位置的第2绝缘层区域，所述第1绝缘层区域配置在所述栅电极的一端部的上方，所述第2绝缘层区域配置在所述栅电极的另一端部的上方，所述源电极穿过所述第1接触开口部与所述沟道区域电连接，所述漏电极穿过所述第2接触开口部与所述沟道区域电连接。
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