[发明专利]具有分段形成的贯通硅通路及芯片上载体的堆叠微电子组件有效
| 申请号： | 201180066039.8 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103339717A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 | 申请（专利权）人： | 德塞拉股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/498;H01L23/48 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 段淑华;刘曾剑 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供的微电子组件(100)包括，基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成的第一元件(110)，第一元件(110)具有面对且与微电子元件(102)的主表面(104)附接的表面(103)，复数个导电垫(106)在主表面(104)暴露，微电子元件(102)内具有有源半导体器件。第一开口(111)从第一元件(110)的暴露表面(118)朝着与微电子元件(102)附接的表面(103)延伸，第二开口(113)从第一开口(111)延伸至第一个导电垫(106)，其中在第一开口与第二开口相交处，第一开口的内表面(121)和第二开口的内表面(123)相对于微电子元件(102)的主表面(104)以不同角度延伸。导电元件(114)在第一开口(111)及第二开口(113)内延伸，且可与至少一个导电垫(106)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分段 形成 贯通 通路 芯片 载体 堆叠 微电子 组件 | ||
【主权项】：
微电子组件，包括：第一元件，基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成；微电子元件，与所述第一元件附接，使得所述第一元件的表面面对所述微电子元件的主表面，所述微电子元件具有在所述主表面暴露的复数个导电垫，所述微电子元件内具有有源半导体器件；第一开口，从所述第一元件的暴露表面朝面对所述微电子元件的表面延伸，第二开口，从所述第一开口延伸至第一个导电垫，其中在所述第一开口与所述第二开口相交处，所述第一开口的内表面和所述第二开口的内表面相对于所述微电子元件的所述主表面以不同角度延伸；及导电元件，在所述第一开口及所述第二开口内延伸，且与所述至少一个导电垫接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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