[发明专利]半导体装置的制造方法及麦克风的制造方法有效
| 申请号： | 201180068237.8 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103392350A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 堀本恭弘;中河佑将;井上匡志;高桥敏幸 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允;浦柏明 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在硅晶片（73）的上方设置多个声敏传感器（51）。利用硅晶片（74），一体形成具有空腔（70）或贯穿电极（65、66）等的多个内插件（52）。将多个声敏传感器（51）的与硅晶片（73）相反一侧的面与多个内插件（52）接合一体化。此后，在将声敏传感器（51）与内插件（52）接合一体化的状态下，对声敏传感器（51）的硅晶片（73）进行研磨，来减薄硅晶片（73）的厚度。此后，将在接合的状态下逐个分割成单体的声敏传感器（51）及硅晶片（73）与信号处理电路一并安装在封装内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 麦克风 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：制作工序，在半导体衬底上制作半导体元件；接合工序，使所述半导体衬底的制作有所述半导体元件一侧的面与支撑构件接合；减薄工序，在所述半导体衬底与所述支撑构件接合的状态下，对与所述半导体衬底的制作有所述半导体元件的面相反一侧的面进行研磨，以减薄所述半导体衬底的厚度。
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