[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201180070832.5 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103534812A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 小野木淳士;江口博臣;大川峰司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，所述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在所述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与所述第二导电型阱区的表面及所述第一导电型漂移区的表面相接，所述第二导电型阱区的一部分沿着所述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于所述栅绝缘膜的长度的方式延伸至所述第一导电型漂移区内。
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