[发明专利]用于半导体器件的电磁干扰屏蔽和热耗散有效
| 申请号： | 201180071126.2 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103718279B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 付鹏;罗杉;吕忠;钱开友;邱进添;C.俞;H.塔基亚;白晔 | 申请（专利权）人： | 晟碟半导体（上海）有限公司;晟碟信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/44;H01L23/34;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种存储装置和制造存储装置的方法，该存储装置包括屏蔽电磁辐射和/或散热的金属层。金属层形成于金属层转印组件上。金属层转印组件和未封装的存储装置被置于模具中并被封装。在封装和固化模塑料期间，将金属层从屏蔽转印到封装的存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 电磁 干扰 屏蔽 耗散 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：包括接地焊垫的衬底；耦合到所述衬底的一个或多个电子部件；封装所述一个或多个电子部件的模塑料；形成于所述模塑料的一个或多个表面上的层，所述层包括金属；以及与所述衬底上的所述接地焊垫以及所述模塑料上的所述层接触的接地夹，所述接地夹包括弹簧结构，所述接地夹在所述衬底和包括所述层的所述模塑料的表面之间被压缩，以确保所述衬底和在所述模塑料的表面上的所述层之间的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
