[发明专利]半导体发光器件制造方法和以该方法制造的半导体发光器件无效
| 申请号： | 201180072761.2 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103733359A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 韩在镐;金晟泰;蔡昇完;李钟昊;金制远 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件。根据本发明的一方面的半导体发光器件的制造方法包括：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件的制造方法，所述方法包括步骤：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构的顶表面之上与所述激光吸收区相对应的位置将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。
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