[发明专利]具有多个独立栅极晶体管的类反相器电路有效
| 申请号： | 201180073800.0 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103843066A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | C·马祖雷;R·费朗;B-Y·阮 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C11/408;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电路，该电路包括在用于施加电源电位的第一和第二终端之间的与第二类型沟道的晶体管串联的第一类型沟道的晶体管，晶体管中的每一个为至少具有第一独立控制栅极（G1P、G1N）和第二独立控制栅极（G2P、G2N）的多栅极晶体管，其特征在于，晶体管中至少一个配置为在施加至其第二控制栅极（G2P、G2N）的第二栅极信号的作用下以耗尽模式操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 栅极 晶体管 类反相器 电路 | ||
【主权项】：
一种电路，所述电路包括在用于施加电源电位的第一和第二终端之间的与第二类型沟道的晶体管串联的第一类型沟道的晶体管，晶体管中的每一个为至少具有第一独立控制栅极（G1P、G1N）和第二独立控制栅极（G2P、G2N）的多栅极晶体管，其特征在于，所述晶体管中至少一个配置为在施加至其第二控制栅极（G2P、G2N）的第二栅极信号的作用下以耗尽模式操作。
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