[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201180074036.9 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103930601B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;大黑宽典;楠一彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种SiC单晶的制造方法，该制造方法在采用熔液法使SiC单晶生长时，能够维持均匀的单晶生长能持续的平坦生长，并且实现为实现高的生产率所需的生长速度的提高。所述SiC单晶的制造方法，是在坩埚内从C的Si熔液使SiC单晶生长的方法，其特征在于，使高过饱和度生长期和低过饱和度生长期交替反复，所述高过饱和度生长期是将正在生长的SiC单晶与Si熔液的生长界面处的Si熔液中的C的过饱和度维持得比能够维持平坦生长的上限的临界值高来进行生长的生长期；所述低过饱和度生长期是将所述过饱和度维持得比所述临界值低来进行生长的生长期。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，是在坩埚内从C的Si熔液使SiC单晶生长的方法，其特征在于，使高过饱和度生长期和低过饱和度生长期交替反复，所述高过饱和度生长期是将正在生长的SiC单晶与Si熔液的生长界面处的Si熔液中的C的过饱和度维持得比能够维持平坦生长的上限的临界值高来进行生长的生长期；所述低过饱和度生长期是将所述过饱和度维持得比所述临界值低来进行生长的生长期；使数值Sa与数值Sb的比率Sb/Sa≥1.25，所述数值Sa是将所述高过饱和度与所述临界值的差量在所述高过饱和度生长期的继续时间范围积分所得到的值，所述数值Sb是将所述低过饱和度与所述临界值的差量在所述低过饱和度生长期的继续时间范围积分所得到的值。
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