[发明专利]包括与穿硅过孔组合的细间距单镶嵌后侧金属再分布线的3D互连结构有效
| 申请号： | 201180074419.6 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103890939A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了3D互连结构及制造方法，其中金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)集成并使用单镶嵌型过程流程。氮化硅或碳化硅钝化层可设置在变薄的器件晶片后表面和RDL之间以在过程流程期间提供密封阻挡层和抛光停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 组合 间距 镶嵌 金属 再分 布线 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种3D互连结构，包括：半导体衬底，其具有前表面和后表面；过孔，其穿过所述半导体衬底在所述前表面和所述后表面之间延伸；以及单镶嵌再分布层(RDL)，其形成在所述后表面之上。
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