[发明专利]用非易失性随机存取存储器提供对休眠状态转变的即时响应的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201180075454.X 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN104106057B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 林纳·K·普蒂耶达思;雷·K·拉马奴詹;迈克尔·罗思曼;布莱斯·范宁;文森特·J·齐默 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F13/14 分类号: G06F13/14;G06F1/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 杨美灵,汤春龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种非易失性随机存取存储器(NVRAM)在计算机系统中用于提供对休眠状态转变的即时响应。计算机系统包含耦合到NVRAM的处理器,NVRAM由处理器可存取,无需通过I/O子系统。NVRAM是由处理器字节可重写的并且字节可擦除的。响应于对进入带电休眠状态的请求,计算机系统将带电休眠状态转换成断电休眠状态,其中系统存储器上下文存储在NVRAM中。带电休眠状态被定义为向计算机系统中的易失性随机存取存储器提供电力的状态,而断电休眠状态被定义为从易失性随机存取存储器移除电力的状态。响应于唤醒事件,计算机系统使用存储在NVRAM中的系统存储器上下文重新开始工作状态操作。
搜索关键词: 用非易失性 随机存取存储器 提供 休眠 状态 转变 即时 响应 方法 系统
【主权项】:
一种用非易失性随机存取存储器改进休眠状态转变的响应的方法,包括:接收对于计算机系统进入带电休眠状态的请求,所述计算机系统包括耦合到非易失性随机存取存储器NVRAM的处理器,所述NVRAM由所述处理器可存取而无需通过所述计算机系统的I/O子系统,所述NVRAM是由所述处理器字节可重写的并且字节可擦除的,所述带电休眠状态定义为其中向所述计算机系统中的易失性随机存取存储器提供电力的状态;响应于所述请求,将所述带电休眠状态转换成断电休眠状态,其中系统存储器上下文存储在所述NVRAM中,所述断电休眠状态定义为其中从所述易失性随机存取存储器移除电力的状态,响应于唤醒事件,使用存储在所述NVRAM中的所述系统存储器上下文重新开始工作状态操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180075454.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top