[发明专利]用于电容器集成的TaAlC的原子层沉积(ALD)在审
| 申请号： | 201180075615.5 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104115269A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | N·林德特;R·A·布雷恩;J·M·施泰格瓦尔德;T·E·格拉斯曼;A·巴兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 总体上描述了一种用于电容器集成的TaAlC的原子层沉积(ALD)。例如，半导体结构包括布置在衬底之中或之上的多个半导体器件。一个或多个电介质层布置在多个半导体器件之上。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器布置在电介质层的至少一个中，MIM电容器包括具有TaAlC共形层的电极，且MIM电容器电耦合至半导体器件中一个或多个。同时公开并且要求保护了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电容器 集成 taalc 原子 沉积 ald | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：多个半导体器件，所述多个半导体器件布置在衬底之中或之上；一个或多个电介质层，所述一个或多个电介质层布置在所述多个半导体器件之上；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，所述金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器布置在所述电介质层中的至少一个中，所述MIM电容器包括具有TaAlC共形层的电极，并且所述MIM电容器电耦合至所述半导体器件中的一个或多个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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