[发明专利]一种NLDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210005119.9 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103199109A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;石晶;胡君;董金珠;韩峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NLDMOS器件包括：P型衬底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分别形成有N+区，N阱中N+区的旁侧形成有长氧区，场氧形成于P阱、N阱和长氧区的上方，场氧上方形成有多晶硅层，隔离侧墙形成于场氧和多晶硅层的两侧；其中，P型衬底将所述P阱和N阱隔离。本发明还公开了一种NLDMOS器件的制造方法。NLDMOS器件采用P阱作为本地区，N阱作为N漂移区，其他所有工艺条件(比如源和漏)与此5伏CMOS工艺相同。本发明的NLDMOS器件通过控制NLDMOS中的P型本底区(由P阱构成)和N漂移区(由N阱构成)的距离，实现对耐压的调整，能使NLDMOS器件的最高击穿电压达到25伏特以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NLDMOS器件，包括P型衬底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分别形成有N+区，N阱中N+区的旁侧形成有长氧区，场氧形成于P阱、N阱和长氧区的上方，场氧上方形成有多晶硅层，隔离侧墙形成于场氧和多晶硅层的两侧；其特征是：P型衬底将所述P阱和N阱隔离。
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