[发明专利]ESD保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法有效
| 申请号： | 201210005678.X | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102593162A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡铭宪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/861;H01L27/02;H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种器件，该器件包括信号输入端，该信号输入端与静电放电(ESD)保护器件电通信，其中，该ESD器件保护器件包括栅控二极管，该栅控二极管配置为多边形。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 器件 以及 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：静电放电(ESD)保护器件；信号输入端，与所述ESD保护器件电通信；以及被保护电路，其中，所述ESD保护器件置于所述信号输入端和所述被保护电路之间，并且，所述ESD保护器件配置为降低来自所述信号输入端处的信号的ESD效应，以及其中，所述ESD保护器件包括栅控二极管，所述栅控二极管配置为多边形。
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