[发明专利]制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺有效
| 申请号： | 201210006254.5 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103199054B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈骁;罗乐;汤佳杰;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au‑Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 tsv 采用 二次 湿法 腐蚀 支撑 分离 工艺 | ||
【主权项】：
一种制作穿硅通孔时采用的二次湿法腐蚀使支撑晶圆分离的工艺方法，其特点在于，首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到厚度为150‑200μm后，通过在已刻蚀TSV的晶圆的背面和已经过KOH腐蚀的裸支撑晶圆的一面分别先后溅射TiW和Au层，然后将两片晶圆的Au面进行Au‑Au键合；再在TSV晶圆的正面进行TSV电镀填充，键合介质Au同时作为TSV电镀时的种子层，待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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