[发明专利]蚀刻装置有效
申请号: | 201210008729.4 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN103208438B | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 余端仁 | 申请(专利权)人: | 余端仁 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种蚀刻装置,其设有一蚀刻组件、一输送组件及一载具组件,该蚀刻组件设有一蚀刻腔体、一上盖板及一升降装置,该上盖板可翻转地设于该蚀刻腔体顶面且设有一电极导入装置、两气孔板及一遮板,该输送组件设于该蚀刻组件内且于该蚀刻腔体内间隔设置有多个转动轴,该载具组件设于该输送组件上并设有数个载盘,各载盘与该输送组件的滚轮相贴靠且于顶面设有一极板,该极板贯穿设有两间隔设置并分别与该遮板两穿孔相对应的承载孔,提供一节省成本、缩短制造过程时间及提高产能的蚀刻装置。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种蚀刻装置,其包含有一蚀刻组件、一输送组件及一载具组件,其中:该蚀刻组件设有一蚀刻腔体、一上盖板及一升降装置,该上盖板可翻转地设于该蚀刻腔体顶面且设有一电极导入装置、两气孔板及一遮板,该电极导入装置固设于该上盖板顶面且朝内设有一电极,两气孔板间隔地设于该上盖板底面,该遮板间隔地设于该上盖板底面且贯穿设有与该两气孔板相对应的穿孔,于两穿孔间贯穿一供该电极伸入该遮板的开孔,该升降装置固设于该蚀刻腔体底面且朝上设有一伸入该蚀刻腔体的升降杆;该输送组件设于该蚀刻组件内且于该蚀刻腔体内间隔设置有多个具有滚轮的转动轴;以及该载具组件设于该输送组件上而可移动地设于该蚀刻腔体内并设有数个载盘,各载盘与该输送组件的滚轮相贴靠且于顶面设有一极板,该极板贯穿设有两间隔设置并分别与该遮板两穿孔相对应的承载孔;以及该蚀刻装置另设有一进料组件、一出料组件及一阀门组件,其中该进料组件设有一前、后端呈开口状且与该蚀刻腔体前端相结合的进料腔体,该出料组件设有一与该蚀刻腔体异于该进料腔体一端相结合的出料腔体,而该阀门组件设于该进料组件、该蚀刻组件及该出料组件之间且设有数个阀门装置,各阀门装置分别该设于各腔体之间,该输送组件于该进料组件及该出料组件的各腔体内间隔设置有多个具有滚轮的转动轴,该载具组件设于该输送组件上而可移动地设于各腔体之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造