[发明专利]一种提取互连线方块电阻的方法和装置有效
申请号: | 201210009449.5 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102522354A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 马天宇;陈岚;杨飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;李玉秋 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种提取互连线方块电阻的方法,设计并制造包括若干个区域的测试版图,通过测量测试版图每个区域的表面形貌信息和电阻提取测试版图每个区域的等效厚度和等效电阻率,结合模拟工具提取待提取版图中不同互连线线宽和/或线间距区域的互连线厚度,提取待提取版图中不同互连线线宽和/或线间距区域的互连线方块电阻。相应地,本发明还提供一种提取互连线方块电阻的装置。本发明的方法考虑了后续的CMP工艺可能带来的版图互连线厚度差异,对于版图的不同区域获得不同的方块电阻,在提取互连线寄生电阻时能够得到更为准确的电阻值。 | ||
搜索关键词: | 一种 提取 互连 方块 电阻 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种提取互连线方块电阻的方法,其特征在于,包括步骤:设计并制造测试版图,所述测试版图包括若干个区域,所述若干个区域中每个区域的互连线线宽和/或线间距不同;测量所述测试版图每个区域的表面形貌信息和电阻;根据所述表面形貌信息提取所述测试版图每个区域的等效厚度;根据所述电阻值和等效厚度提取所述测试版图每个区域的等效电阻率;提取待提取版图不同区域的互连线厚度,所述待提取版图与测试版图采用相同工艺制造,所述待提取版图不同区域的互连线线宽和/或线间距不同;根据所述待提取版图不同区域的互连线厚度与测试版图相应区域的等效电阻率提取所述待提取版图不同区域的互连线方块电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造