[发明专利]一种氮化物半导体激光器无效
| 申请号： | 201210012561.4 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102570308A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;张书明;刘建平;李增成;杨辉 | 申请（专利权）人： | 苏州纳睿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层，p-AlGaN/GaN超晶格限制层，p-GaN接触层；所述下InxGa1-xN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐减少。本发明的氮化物半导体激光器可以有效地减少上InGaN波导层与p-AlGaN电子阻挡层之间的应力，从而避免解理时出现凹凸不平的台阶；同时本发明的氮化物激光器可以增强激光器的光学限制因子，从而有效地提升激光器的性能，取得了显着的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光器，其特征在于，从下至上依次包括GaN衬底(1)，n‑GaN层(2)，n‑AlGaN/GaN超晶格限制层(3)，下InxGa1‑xN渐变波导层(4b)，InGaN/GaN多量子阱有源区(5)，上InyGa1‑yN渐变波导层(6b)，p‑AlGaN电子阻挡层(7)，p‑AlGaN/GaN超晶格限制层(8)，p‑GaN接触层(9)；所述下InxGa1‑xN渐变波导层(4b)中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1‑yN渐变波导层(6b)中，从下至上In组分含量逐渐减少。
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