[发明专利]较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法无效
| 申请号： | 201210014804.8 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102543756A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105;H01L29/78;C23C16/50;C23C16/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法、以及利用该方法制备的MOS器件；本发明利用富硅二氧化硅其具有抵抗等离子体损伤的特点，将传统高密度等离子体化学气相沉积中的富含氧的二氧化硅保护层替换成富含硅的二氧化硅保护层，从而减小了在HDP制程沉积过程中所带来的等离子体损伤，通过最终的电学性能测试可以看出，利用富含硅的二氧化硅保护层可以起到更好的抵抗等离子体损伤的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 较小 等离子 损伤 高密度 等离子体 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种较小等离子损伤的高密度等离子体沉积方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供含有NMOS和/或PMOS的衬底，在所述衬底上沉积蚀刻阻挡层；步骤2，在所述蚀刻阻挡层上沉积HDP保护层；其中，所述HDP保护层材质为富硅二氧化硅步骤3，在所述HDP保护层上沉积HDP主体层作为前金属介电层；步骤4，对前金属介电层进行化学机械研磨至设计要求厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210014804.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种井下紧急定位呼叫的方法和装置
- 下一篇：一种可快速拆装窥器的阴式探头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
