[发明专利]具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶型半导体封装无效
| 申请号： | 201210017507.9 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623419A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朴相弘;任俊成;洪性元;姜锡勋;崔荣玟;田珉浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社乐恩 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;段斌 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶(COF)型半导体封装，该COF型半导体封装包括绝缘薄膜110、金属图案120和130、表面绝缘层140、半导体晶片200。金属图案由与半导体晶片电气连接的电路图案120以及与电路图案电气绝缘的绝缘图案130构成。绝缘薄膜110形成有热辐射孔150，以允许绝缘图案130的一部分暴露于绝缘薄膜110的底部表面。电路图案120的一部分在绝缘薄膜110上延伸，以构造成为与其它电路图案120相比具有宽表面积的扩展图案。由于从半导体产生的热通过其底部的绝缘图案130排放到基底100的后部内，所以绝缘图案130起到热辐射垫的作用。此外，电路图案120的上述部分构造为利用绝缘薄膜110上的额外空间占据宽区域的扩展图案125，并且扩展图案125通过热辐射孔150暴露于绝缘薄膜110的底部表面，从而通过晶片200的端子与扩展图案125相接触而增强热辐射效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 热辐射 性能 薄膜 覆晶型 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种COF型半导体封装，包括：使用绝缘薄膜、形成在所述绝缘薄膜上的金属图案、和保护所述金属图案的表面绝缘层顺序层压而成的带互连基底；以及安装在所述带互连基底上的半导体晶片，其中所述金属图案包括与所述半导体晶片电气连接的电路图案，和与所述电路图案电气绝缘的绝缘图案。
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