[发明专利]高频开关有效
| 申请号： | 201210018214.2 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219974A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杉浦毅;乙部英一郎;丹治康纪;小谷典久 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及可以抑制失真特性劣化的高频开关。根据本发明的高频开关，包括：向天线(110)输出发送信号的共用端口(CX)；输入上述发送信号的发送端口(TX1、TX2)；连接在多个发送端口和共用端口之间，并导通或者切断从各发送端口到共用端口的发送信号的多个开关部(100A、100B)，且开关部具有形成在硅基板上的一个以上的MOSFET(T∑Ω)，并且在MOSFET中，在连接在共用端口的MOSFET的基极端子与连接在共用端口的端子之间连接有电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 开关 | ||
【主权项】：
一种高频开关，包括：向天线输出发送信号的共用端口；输入所述发送信号的发送端口；以及连接在多个所述发送端口和所述共用端口之间，并导通或者切断从各发送端口到所述共用端口的所述发送信号的多个开关部，并且所述开关部具有形成在硅基板上的一个以上的金属氧化层半导体场效晶体管，并且在所述金属氧化层半导体场效晶体管中，在连接在所述共用端口的金属氧化层半导体场效晶体管的基极端子和连接在所述共用端口的端子之间连接有电容器。
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