[发明专利]半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置有效
申请号: | 201210019265.7 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103215572A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 陆涛 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体设备工艺控制方法和半导体设备工艺控制装置。该方法包括:识别传输至当前腔室中的加工件;从预先设置的与加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数,加工件操作参数包括加工件在每个腔室对应的操作参数;根据当前腔室对应的操作参数,对加工件进行工艺处理。本发明提供的技术方案中,通过为每个加工件设置与该加工件对应的加工件操作参数,使半导体设备实现了针对每个加工件执行不同的工艺处理流程,当需要对某一加工件执行某一工艺处理时仅需根据读取出的操作参数执行相应的工艺处理即可,无需停止正常的工艺操作流程,从而减少了生产时间,提高了生产效率和产品产量。 | ||
搜索关键词: | 半导体设备 工艺 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体设备工艺控制方法,其特征在于,包括:识别传输至当前腔室中的加工件;从预先设置的与所述加工件对应的加工件操作参数中读取当前腔室对应的操作参数,所述加工件操作参数包括所述加工件在每个腔室对应的操作参数;根据所述当前腔室对应的操作参数,对所述加工件进行工艺处理。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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