[发明专利]半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法、半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201210020283.7 | 申请日： | 2012-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102623412A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 根岸将人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，其特征在于，具有：基板层，由半导体晶片的基板材料构成；半导体层，设置在所述基板层上，包括在所述基板层上外延生长的一个以上的层；以及多个半导体元件，以在所述半导体晶片的平面方向排列的方式使用所述半导体层形成，所述半导体层包括外延生长的InGaAs外延层，所述InGaAs外延层具有非形成部分，该非形成部分是沿着应该分割所述多个半导体元件的线设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分。
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