[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备

摘要

本发明公开薄膜晶体管(TFT)阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备。该薄膜晶体管阵列基板包括TFT，位于基板上，该TFT包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于所述有源层和所述栅电极的第一绝缘层以及位于所述栅电极与所述源电极和漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，该像素电极连接至所述源电极和所述漏电极之一；电容器，包括与所述栅电极位于同一层上的下电极以及与所述像素电极包括相同材料的上电极；第三绝缘层，直接设置于所述第二绝缘层和所述像素电极之间以及所述下电极和所述上电极之间；以及第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上电极并暴露所述像素电极。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，包括：薄膜晶体管，设置在基板上，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在所述有源层和所述栅电极之间的第一绝缘层以及设置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的第二绝缘层；像素电极，设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上，所述像素电极连接至所述源电极和所述漏电极之一；电容器，包括与所述栅电极设置在同一层上的下电极，并且包括与所述像素电极包括相同材料的上电极；第三绝缘层，包括直接设置在所述第二绝缘层和所述像素电极之间的第一部分以及直接设置在所述下电极和所述上电极之间的第二部分，所述第一部分和所述第二部分彼此分离，其中所述像素电极的侧表面与所述第一部分的侧表面对齐，所述上电极的侧表面与所述第二部分的侧表面对齐；以及第四绝缘层，覆盖所述源电极、所述漏电极和所述上电极并且暴露所述像素电极。