[发明专利]半导体器件、以及包含该半导体器件的组件和系统有效
| 申请号： | 201210020862.1 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103107160B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 桂祯涉;韩正民 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾红霞,何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种包括埋入式栅极的半导体器件。在半导体器件中，位线触点与有源区的顶部表面和侧表面接触，从而增加了在位线触点和有源区之间的接触面积并且防止在位线触点中产生高电阻故障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 包含 组件 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一栅极，其埋入在第一沟槽的下部中，所述第一沟槽限定在有源区中；第一密封层，其设置在所述第一沟槽的上部处并且位于所述第一栅极的上方；第二栅极，其埋入在第二沟槽的下部中，所述第二沟槽限定在所述有源区中；第二密封层，其设置在所述第二沟槽的上部处并且位于所述第二栅极的上方；以及触点插塞，其与所述第一栅极和所述第二栅极相连，所述触点插塞在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间延伸以接触顶部表面，所述触点插塞部分地延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中，其中，所述触点插塞包围位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述有源区的上部。
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