[发明专利]用于半导体存储器的布局有效
| 申请号： | 201210021136.1 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103022008A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器，该半导体存储器包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括连接到第一位单元的第一对位线，所述第二导电层包括与连接到述第一位单元的第二对位线。所述第一导电层和所述第二导电层在纵向彼此分开。本发明还公开了用于半导体存储器的布局。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 存储器 布局 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，包括：第一导电层，包括连接到第一位单元的第一对位线；第二导电层，包括连接到所述第一位单元的第二对位线；其中，所述第一导电层和所述第二导电层在纵向彼此分开。
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