[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210023208.6 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102867828B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李相道;李海朾;高京甫 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 郭放,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括有源本体，所述有源本体具有在横向上彼此面对的两个侧壁；结，所述结形成在所述两个侧壁中的一个侧壁中；电介质层，所述电介质层具有暴露出所述结的开放部分并且覆盖所述有源本体；结延伸部分，所述结延伸部分具有填充所述开放部分的掩埋区；以及位线，所述位线与所述结延伸部分耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源本体，所述有源本体具有在横向上彼此面对的两个侧壁；结，所述结形成在所述两个侧壁中的一个侧壁中；电介质层，所述电介质层具有暴露出所述结的开放部分并且覆盖所述有源本体；结延伸部分，所述结延伸部分经由所述开放部分与所述结耦接并且具有沟槽；以及位线，所述位线形成在所述结延伸部分的所述沟槽上，使得所述位线的侧表面被所述结延伸部分完全包围，其中，所述结延伸部分包括硅层，以及所述位线包括金属层或金属氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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