[发明专利]制作电性正确的集成电路的方法有效

专利信息
申请号: 201210026181.6 申请日: 2012-02-07
公开(公告)号: CN102629285A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: R·托帕罗格鲁 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;H01L27/02
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 揭露一种制作电性正确的集成电路的方法,依据实施例,该方法包含提供针对该半导体装置的逻辑设计、以及将该逻辑设计中的元件与元件图案库相比较。该元件图案库系通过识别具有偏离模型化性质的电性性质的布局图案,来加以推衍;该库也包含对该模型化性质偏离的定量测量。响应该比较并考量该定量测量,以决定该元件是否是该逻辑设计中所接受的。产生掩膜组,以使用该元件或修改的元件(如果该元件是不可接受的)来实作该逻辑设计,并且采用该掩膜组,以在半导体基板中及上实作该逻辑设计。
搜索关键词: 制作 正确 集成电路 方法
【主权项】:
一种制作集成电路的方法,包括:提供针对该集成电路的逻辑设计,该逻辑设计包含复数个元件;通过识别具有偏离模型化性质的电性性质的布局图案以发展元件图案库,该元件图案库复包含对模型化性质的偏离的定量测量;将该逻辑设计中的元件与元件图案库相比较;响应该比较并考量该定量测量,以决定该元件是否是该逻辑设计中所接受的;修改不被接受的元件;使用该元件或修改的元件,产生实作该逻辑设计的掩膜组;采用该掩膜组,以在半导体基板中及上实作该逻辑设计。
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