[发明专利]高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210026254.1 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN102583391A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 陈少平;樊文浩;孟庆森;易堂红;孙政;李育德 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06;B82Y40/00
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 庞建英
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的制备方法,属于热电材料制备领域,具体而言是一种用微波反应法制备高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的方法的技术方案。其特征在于是由MgH2粉、Si粉和过渡金属氢化物TMHy粉在微波炉中反应,反应全过程在流动Ar气保护下,MgH2和TMHy分解温度均小于350℃,在反应过程中反应物易于分解并均匀分布于基体中,其强还原性有助于抑制基体表面吸附氧和氧化产物的进一步形成,得到纯度为≥99.95%的高纯纳米Mg2-xSiTMx粉末。本方法的特点是工艺简单且高效节能,制备出的Mg1-xSiTMx热电材料具有较好的热电性能。
搜索关键词: 高纯 纳米 mg sub sitm 热电 材料 制备 方法
【主权项】:
一种高纯纳米粉体Mg2‑xSiTMx热电材料的制备方法,其特征在于该方法是一种用微波反应法制备高纯纳米粉体Mg2‑xSiTMx热电材料的方法,该方法是由MgH2粉、Si粉和过渡金属氢化物TMHy粉在微波炉中反应,反应全过程在流动Ar气保护下,MgH2和TMHy分解温度均小于350℃,在反应过程中反应物易于分解并均匀分布于基体中,其强还原性有助于抑制基体表面吸附氧和氧化产物的进一步形成,得到纯度为≥99.95%的高纯纳米Mg2‑xSiTMx粉末,反应方程式为:(2‑x)MgH2+Si+xTMHy=Mg2‑xSiTMx+(2‑x+xy/2)H2,式中,x=0.0025‑0.01,TMHy为:YH2‑3,LaH2‑3,CeH2‑3,具体步骤为:将MgH2粉、Si粉和TMHy粉在手套箱中按Mg2‑xSiTMx的化学计量比称量,其中x=0.0025‑0.01,在球磨机中混和均匀,然后将反应粉体(5)装入三口石英烧瓶(4)中,将瓶口密封,将密封好的三口石英烧瓶(4)置于微波炉(1)中,两端分别与氩气瓶(7)和插入矿物油(8)中的排气管连接;先打开氩气进气阀(2),后打开另一端排气阀(3),使插入矿物(7)中的排气管有持续气泡冒出,并防止空气倒流入管内;启动微波电源,反应粉体(5)在功率为0.1‑1kW微波作用下进行反应3‑10min,然后关闭电源,使反应生成的Mg2‑xSiTMx粉末随炉冷却。
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