[发明专利]薄膜晶体管阵列及其线路结构无效
| 申请号： | 201210027447.9 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102569293A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郑朝云;郭行健;庄智强 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;王颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管阵列及其线路结构，其中线路结构包括一图案化金属层，一透明导电层与一介电层。透明导电层形成于图案化金属层的顶面并与其接触。介电层覆盖图案化金属层以及透明导电层并与其接触。另外，介电层具有一暴露出部分透明导电层的接触窗。所述位于图案化金属层顶面的透明导电层可以防止在制作接触窗时对图案化金属层的表层金属造成的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 线路 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，包括：一图案化金属层；一透明导电层，形成于该图案化金属层的顶面并与其接触；以及一介电层，覆盖该图案化金属层以及该透明导电层并与其接触，该介电层具有一接触窗，该接触窗暴露出一部分的该透明导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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